cmp抛光机‍是利用抛光机、抛光液、抛光垫、抛光布在-定的工艺条件下实现材料表面高平坦化的一种技术。CMP技术来源于硅片抛光工艺，所用的设备和材料都与硅片拋光用的设备、材料等相似。利用这种技术可以使多层SiO2介质平面化和实现多层金属高密度互连，使多层电路结构能在一个近乎平坦的平面上进行制备，加速了低电阻率Cu取代Al作为互连线的步伐，降低了芯片的使用功耗。今天，我们要聊的关于此仪器的话题是：CMP加工过程中热量的产生及对抛光去除率的影响。

一、放热过程中的影响

CMP在加工过程中无论是酸性液体还是碱性液体，在对去除材料的化学反应中都是放热的反应，造成温度的上升，同时在加工过程中，由于抛光头的压力作用，和抛光头及抛光盘的旋转具有做功的情况，所以有能量的释放，造成温度的上升，由于温度的上升，使化学反应速度急剧增加，这样使机械作用和化学作用不能达到合理的平衡点，造成不均匀的抛光去除率。

二、抛光过程中的影响

在抛光过程当中，首先化学抛光液和去除材料进行化学反应，对去除材料进行分解，形成络合物，后在抛光液磨料、抛光头和抛光盘的机械作用下， 对化学反应后的络合物去除，露出新的去除材料进行化学反应，周而复始实现化学机械抛光。如果化学反应速度大于机械去除速度，会造成对去除材料 的去除不完全或者造成晶圆上的电路出现凹陷的 情况。如果化学反应的速度低于机械去除的速度，在磨料的作用下，会造成对晶圆上的电路产生划伤。而以上的情况都是在加工过程中不希望发生的，对温度进行控制，从而对化学反应速度实现控制是必要的方法。

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