砷化镓的表面质量对器件的性能有很大影响。砷化镓材料的制作是由纯砷和镓合成并生长为砷化镓单晶材料，经过切、磨、抛光和清洗等工序制成单晶片。其中抛光工序是实现晶片超高精度的表面要求关键工序。今天我们一块了解下实现抛光的半导体抛光机‍。

1、化学机械抛光

化学机械抛光技术是化学腐蚀作用和机械磨削作用协同效应的组合技术，它克服了单纯化学抛光和单纯机械抛光的缺点，综合了两者的优势，把化学作用和机槭作用结合起来，借助于超微粒子的机械研磨作用以及抛光液的化学腐蚀作用，在被研磨的介质表面，上形.成光洁平坦表面，成为半导体加工行业的主导技术。

2.抛光机结构

抛光机机整个系统由一个旋转的晶片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光液输送装置三大部分组成。抛光时旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在晶片与抛光垫之间流动,抛光液在抛光垫的传输和旋转离心力的作用下，均匀分布其上，液体中的化学成分与晶片产生化学反应，将不溶物质转化为易溶物质，然后通过磨粒的将这些化学反应物从晶片表面去除从而达到平坦化的目的。

3.机器性能参数

晶片表面的去除速率与晶片和抛光垫的相对速度及抛光压力成正比。在抛光过程中，除了机构参数及抛光垫特性的影响外，抛光区域温度及抛光液中磨料颗粒大小、粘度、溶液pH值等参数均会对平坦化效果造成重要影响。就抛光设备而言，当晶片和抛光垫表面的相对速度、压力及拋光液供应稳定时，晶片会被均匀的抛光。

传统抛光机是以气缸运动来实现上抛光头的升降，并保持压力前行抛光。由于气动装置工作压力低，输出力受到限制，压力调整的范围非常有限。加之因空气的可压缩性较大，气动装置的动作稳定性较差，抛光压力只能控制在+8kg内。面纳米级抛光设备的研制和生产。半导体抛光机‍就是完成砷化镓晶片化学机械抛光工序的设备。