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2024 SEMI 化合物半导体产业国际论坛会议|“链”动新质生产力

作者:    时间:2024-06-18    阅读量:265

6月13日,2024 SEMI化合物半导体产业国际论坛会议在青岛成功召开。 本次会议由SEMI中国和中国中小企业国际合作协会联合主办,特思迪半导体承办。

论坛汇聚全球业界精英、行业专家学者、参展商等300余位,共同探讨化合物半导体的前沿技术、市场趋势和产业发展方向,加强国际交流与合作,促进半导体产业技术创新共享。

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01 聚力精准赋能 共促新发展

论坛上午场由京东方华灿光电股份有限公司副总裁王江波先生主持。

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居龙先生在演讲中对与会嘉宾表示热烈的欢迎。他表示,化合物半导体如碳化硅、氮化镓在新能源车、储能等领域具有非常大的应用潜力。中国已形成完整产业链,企业具备竞争力。但是产业也面临新机遇与挑战,如AI应用、供应链重整等。前方道路是曲折的,他鼓励产业人士产业复苏时更要安不忘虞,常备不懈。image.png


柯贻文在致辞中表示,第三代半导体在高新技术产业中的关键作用,是中国半导体产业竞争的新机遇。在政府和社会各界支持下,我国化合物半导体产业快速发展,技术水平提高,产品结构优化,企业竞争力增强。国内市场需求旺盛,化合物半导体在新能源汽车、通讯等领域有广泛应用,有望构建具有国际竞争力的产业体系。

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李伟博士在《共谋产业机遇,共话化合物半导体发展趋势》主题演讲中强调第三代和第四代半导体材料的高禁带宽度和优越性能,这些特性使其成为全球市场的新焦点。他指出化合物半导体在多个行业中的关键作用,尤其是其在光伏领域的应用。他还提到了化合物半导体的成本效益,特别是氧化镓的市场潜力和面临的成本挑战。李博士展示了降低氧化镓成本的新方法,有望推动其产业化发展。image.png



刘泳沣先生在题为《抛光技术在化合物半导体制造的应用》的主题演讲中介绍了抛光工艺和设备,在半导体制造的环节上,主要有衬底材料抛光、介质层CMP抛光以及晶圆减薄后抛光三大应用场景。在碳化硅衬底材料抛光方面,市场主流产品为6英寸,目前国内多家企业发布8寸碳化硅,有小批量出货,国外小批量量产8寸碳化硅。他认为,8寸SiC衬底双面路线依旧可行,需关注Bow\Warp,且需要更大盘径、更大游星轮的双面设备。

他指出,氮化镓和碳化硅在成为电力电子产品的主要参与者之前,仍需要开展更多的研发和推进工作,其中适合量产的磨抛工艺亦是亟需开发探索推进的一部分。所有的半导体衬底材料都需要经过抛光,根据不同材料的特性,以及产业化的不同阶段,选择合适的抛光工艺和设备尤为重要。

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崔景光先生在题为《8英寸碳化硅衬底制备技术及发展趋势》的主题演讲中强调,8英寸碳化硅SiC衬底对提升产品性能和生产效率、降低成本、推动技术创新和市场应用的重要性。他讨论了制备技术,包括单晶生长、切割、磨抛和自动化升级,并认为全自主产线的建立需国产设备、耗材和技术创新的协同发展。

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Peter Basa博士在题为《增强型傅里叶变换红外光谱在SiC多层膜全面表征中的应用》的主题演讲中介绍了FTIR(Fourier transform infrared spectroscopy)的基本原理,基于迈克尔逊干涉仪的傅立叶变换红外光谱(FTIR)是一种用于EPI厚度监测的非接触、无损测量技术。他还就SiC EPI厚度测量的干涉图分析、FFT分析、光学建模这三种不同的分析方法做了详细的讲解。SiC外延结构在层厚度、掺杂剂浓度和层数有不同,找到合适的分析方法非常重要。

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母凤文博士在题为《半导体先进键合集成技术与应用》的主题演讲中强调键合技术在半导体领域的应用和重要性,认为它是超越摩尔定律的关键。他提到键合技术在先进封装和多个半导体领域的关键作用,并展望通过材料、器件和应用融合推动技术发展。他特别提到了材料融合、器件性能突破以及应用融合在新能源车、通讯等众多领域的潜力。

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论坛下午场由株洲中车时代电气股份有限公司,副总工程师刘国友先生主持。

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韩商标先生在题为《碳化硅产业技术介绍以及关键工艺设备分析》的主题演讲中分享了他对碳化硅产业的技术和工艺设备的见解。他强调SiC在新能源汽车、光伏等领域的关键作用,并指出SiC在提高能源效率中的重要性。他还详细介绍了SiC MOS制造的关键工艺,包括高温离子注入和外延等技术,并比较了SiC与Si的工艺差异。

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邱艳丽博士在题为《大尺寸碳化硅衬底生长技术的挑战与进展》的主题演讲中介绍了碳化硅衬底的生长技术挑战与进展。她强调了碳化硅在耐高压、高频和高温方面的优势,并指出其市场增长迅速,特别是在新能源汽车产业。她认为,随着8英寸衬底产能的扩充和产业链布局,企业可占据市场先机。同时,国内8英寸产业链正在快速发展,新技术、新产品和新设备的出现,将推动大尺寸晶圆技术进入新的竞争时代。image.png


陈子强博士在题为《超宽禁带氧化镓基化合物半导体》的主题演讲中介绍了氧化镓化合物的电子与结构性能以及课题组在氧化镓化合物的研究进展。氧化镓具有更宽禁带,耐超高压,大尺寸和低缺陷密度等优势,其应用器件具有高功率、低导通电阻、低损耗和多样化器件结构等优势。器件成本更低,体积更小,重量更小,也有导热率低、生产成本高昂等缺陷。他还介绍了课题组在ε-(AlxGa1-x)2O3 化合物的极化、ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3 异质结构–二位电子气、临界厚度及断裂强度 – InGaO / GaO等方面的研究和进展。

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季昊博士在题为《打造第三代半导体制造关键设备-原子层沉积和离子注入》的主题演讲中阐述了第三代半导体制造中ALD和离子注入技术的重要性。他解释了ALD技术在3D结构上的优势,以及离子注入在SiC中减少晶格破坏的关键性。同时,他指出SiC离子注入面临的挑战,如高能量需求和不同结构的注入需求差异,以及未来量产对多种注入机型的需求。image.png


高远先生在题为《国产碳化硅产业发展的新拐点、新环境、新挑战》的主题演讲中阐述了碳化硅产业的高门槛、重资产和高风险特点,并指出行业正面临产能过剩的拐点。他强调,国产碳化硅产业的成功依赖于衬底质量提升、价格下降和SiC MOSFET的广泛应用。同时,他提出产业的持续发展需要政府、资本和各方的共同努力。

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袁瑞成先生通过视频方式远程分享了《金刚石材料检测及应用可靠性分析》的主题演讲,他介绍了金刚石材料的卓越性能,特别是在大功率、高频、高压、高温应用中的重要性。他强调金刚石的高热导率,是自然界中最高的之一,影响因素包括微观结构、纯度和内部缺陷。CVD金刚石作为功率器件的热扩散衬底材料具有优势。他还提到了金刚石晶体热学测试的两种方法:3ω法和TDTR飞秒激光时域热反射法。

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本次会议上,特思迪设有展台,展示了先进的磨抛工艺,吸引了大量的观众,现场的营销团与观众和客户进行了热烈的交流。这种开放、互动的交流方式,不仅增进了特思迪与客户的联系,也使公司更好地了解了市场需求和行业动态。


02 链上对接,共享创新成果


“链主”企业更多地开放应用场景,与产业链上企业开展精准对接,共同分享创新成果,以加强产业链的整合和稳固,是构建和巩固产业链的重要步骤。

本次活动,三大分会场,智能制造装备专场、新型显示专场、第三代半导体专场、三大产业链主企业对接会,现场发布了最新的场景合作清单、产品配套需求和相关订单,这为产业链中的企业们开辟了更广阔的合作机遇和增长潜力。促进产业链各环节的紧密合作,助力链上企业向“新”向“智”高质量发展。image.png


03化合之力,创新之源


牵住科技创新“牛鼻子”,才能跑出企业发展“加速度”。未来特思迪半导将加速科技创新和产业创新深度融合,为化合物半导体行业新质生产发展贡献自己的力量。

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