21世纪以来，随着用于便携式和手持产品的更小和更薄封装的普及，对更薄半导体器件的需求增加，因此晶圆减薄抛光技术变得比以往任何时候都更加重要。随着更厚的 300 毫米晶圆、凸块晶圆、堆叠芯片要求和超薄封装的出现，晶圆减薄、抛光以及晶圆背面研磨设备和工艺正成为装配的关键问题。

背磨过程

目前有几种方法用于减薄晶圆，最流行的是成熟的机械背面研磨和抛光技术。在许多情况下，此减薄抛光工艺是首选，因为它比最近开发的新型化学或等离子蚀刻工艺更快且成本更低。然而，它确实存在在研磨过程中施加机械应力和热量以及在晶圆背面造成划痕的缺点。这些划痕图案和晶圆表面划痕的深度与磨粒的大小和研磨过程中施加在晶圆上的压力成正比。半导体裸片的抛光划痕深度和背面粗糙度与裸片的强度有直接关系，

为了提高抛光操作的生产率，通常执行多步抛光磨削操作。第一步使用大砂砾粗磨晶圆并去除大部分多余的晶圆厚度。在第二步中使用更细的砂砾来抛光晶圆并将晶圆精确地研磨到所需的厚度。对于直径为 200 mm 的晶圆，通常从大约 720 µm 的晶圆厚度开始抛光，然后将其研磨至 150 µm 或更小的厚度。粗磨通常会去除大约 90% 的多余材料。典型的两步抛光背磨操作将使用双主轴，每个主轴上都装有砂轮。