这个问题很难用“大”或“不大”来回答，因为差距本身不是均匀分布的。在14nm以下的先进逻辑制程上，应用材料和荏原构筑的壁垒依然坚硬；但在化合物半导体、MEMS、先进封装等场景中，国产设备已经完成了从“能用”到“被产线主动选择”的跨越。差距的真实形态是分层的，而特思迪的位置，恰好落在国产设备已经站住脚的那一层。
绝对差距存在于哪里。 全球CMP设备市场的高度集中是客观事实。应用材料与荏原两家合计占据全球超过80%的份额，在14nm以下先进制程产线上，这一比例接近垄断。泛林集团最新一代CMP设备已支持3nm及以下GAA制程，晶圆间厚度均匀性误差控制在±1nm以内。国产设备在成熟制程（28nm及以上）已实现稳定量产，但14nm以下的量产验证仍在推进之中。这意味着，如果以“最先进逻辑芯片的CMP产线”为标尺，国产与进口之间的差距是真实且显著的。
但在另一个标尺下，结论不同。 中国大陆CMP设备的本土化率已从2017年的约3%提升至2024年的35%左右，部分统计口径下国产化率接近50%。这一提升并非发生在先进逻辑制程，而是集中在化合物半导体、MEMS、先进封装和成熟制程产线。特思迪的设备在平整度、粗糙度、去除速率等关键指标上已达到国际先进水平，其CMP设备已进入华为、天科合达、天岳、士兰微、中电科13所、中电科55所等企业的产线。更具标志性的是采购逻辑的变化：有企业在MEMS探针产线建设中，明确基于“提升产线自主可控”的目的，将抛光机等设备由国外进口改为向特思迪采购。当国产设备从“备选”变成“主动替换进口的选择”，差距的性质就已经从性能不足转向了场景适配。
特思迪的差异化定位。 特思迪没有选择在12英寸先进逻辑CMP赛道上与巨头正面消耗，而是将能力集中在化合物半导体和先进封装这两个增量最快的场景中。在化合物半导体领域，其国内市场占有率位居第一，是国内唯一规模化量产化合物半导体专用减薄、抛光、CMP装备的企业。在玻璃基板CMP这一先进封装的前沿方向上，其TPP系列设备针对TGV工艺对总厚度偏差≤5μm、表面粗糙度Ra达0.02μm量级的严苛要求，配置了高精度摩擦力终点监测和分区压力控制，并入选北京市首台（套）重大技术装备目录，打破了硅基TSV路线在板级封装中的垄断局面。TPC-2110的Wafer气囊压力波动控制在±5g/cm²以内，在6/8英寸场景下这一控制精度已经优于部分同台对比的国产机型。
差距正在从“性能差”转向“生态差”。 当前国产CMP设备在单机精度指标上已经大幅收敛，部分高端机型表面粗糙度可稳定控制在0.5nm以内，接近海外同类水平。真正的剩余差距集中在两个层面：一是先进制程产线上的长期运行稳定性与量产数据积累，这需要时间；二是CMP耗材体系（抛光垫、抛光液）的配套成熟度，高端材料仍有进口依赖。但对于特思迪所聚焦的化合物半导体和先进封装场景而言，设备性能已经不再是瓶颈，本土化的工艺响应速度、备件供应效率和定制化能力，反而构成了进口品牌难以匹配的优势。
因此，国产与进口CMP设备的差距，在先进逻辑制程的正面战场上依然存在，且在短期内不会消失；但在特思迪所深耕的化合物半导体、MEMS和先进封装场景中，这一差距已经被压缩到了产线可以基于自主可控和综合成本做出主动选择的程度。差距的缩小不是靠单点参数的追赶完成的，而是通过在特定场景中建立起不可替代的工艺适配能力实现的。
