第三代半导体晶圆主要包含碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等材质。这些材料都是宽禁带半导体材料，具有宽禁带宽度（Eg≥2.3eV）的特性，因此也被称为宽禁带半导体材料。

这些材质之间的关键区别主要体现在以下几个方面：

1. 禁带宽度和电子特性：虽然都属于宽禁带半导体，但各种材料的禁带宽度和电子特性有所不同。例如，氮化镓和碳化硅的禁带宽度大约在3.4eV左右，而氧化锌的禁带宽度可能更大。这种差异会影响材料的导电性能和耐高温性能。

2. 物理和化学性质：不同的材质在物理和化学性质上也有所区别，如硬度、热导率、化学稳定性等。这些性质会影响材料的加工难度、使用寿命以及在特定应用场景下的表现。

3. 应用领域：由于材质特性的不同，第三代半导体晶圆的各种材质在应用领域上也有所侧重。例如，碳化硅和氮化镓因其优异的耐高温、高频性能，在新能源汽车、物联网、5G等领域有广泛应用；而氧化锌等材料则可能在某些特定领域如紫外光电子器件等有更独特的应用。

总的来说，第三代半导体晶圆的各种材质各有特点，选择哪种材质取决于具体的应用需求。随着科技的不断发展，这些材料的应用领域还将继续拓宽，为未来的电子产业发展提供更多可能性。