CMP工艺在半导体减薄抛光中的突破主要体现在以下几个方面：

首先，CMP工艺实现了晶圆的全局平坦化。通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，CMP工艺能够高效去除晶圆表面多余的材料，实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度，达到全局平坦化的效果。这种全局平坦化对于后续的集成电路制造过程至关重要，因为它能够确保光刻、刻蚀、薄膜和掺杂等关键工艺的准确进行，从而推动制程节点向纳米级的先进领域发展。

其次，CMP工艺相较于传统方法具有更高的加工精度和加工速度。CMP工艺融合了化学研磨和物理研磨的优点，通过抛光液/研磨液与抛光垫的化学机械作用，在保证材料去除效率的同时，获得准确的表面材料层的厚度，获得较好的晶圆表面平坦度和均匀性。这使得CMP工艺在半导体减薄抛光中能够更快速、更准确地完成加工任务。

此外，CMP工艺还解决了晶圆表面起伏不平导致的一系列问题。在硅片制造过程中，经过刻蚀、离子注入等工艺后，其表面会变得凹凸不平，这会影响下一道工序的进行。CMP工艺的应用可以使得硅片表面变得更加平坦，解决因表面起伏不平导致的光刻无法准确对焦、电子迁移短路、线宽控制失效等问题。

最后，CMP工艺在设备和消耗品方面也有所突破。CMP工艺所需的设备包括CMP设备、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备等，而消耗品则包括研浆和抛光垫等。这些设备和消耗品的不断优化和改进，使得CMP工艺在半导体减薄抛光中的应用更加稳定和可靠。

总的来说，CMP工艺在半导体减薄抛光中的突破主要体现在全局平坦化、高加工精度和速度、解决表面起伏问题以及设备和消耗品的优化等方面。这些突破使得CMP工艺在半导体制造领域的应用越来越广泛，为集成电路制造和先进封装等关键制程提供了强有力的支持。