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特思迪亮相2024九峰山论坛 赋能新质生产力

作者:    时间:2024-04-15    阅读量:1419

9位国内外院士

300多名行业领军人

800多家企业代表齐聚一堂

近万名观众到场观展观会

国内化合物半导体领域

规模最大、规格最高的标杆性盛会


人间四月,樱花灿漫。2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会于4月9日-11日在武汉中国光谷科技会展中心盛大举行。


行业标杆盛会 全产业链覆盖

本次大会由第三代半导体产业技术创新战略联盟和光谷九峰山实验室联合主办,采用“前沿论坛+示范展示+技术与商贸交流”的形式,近万名专业观众将齐聚武汉光谷,20多场行业论坛、会议和交流活动同期举办。集结了政府、全球化合物半导体产业的新质生产力与链主企业,共同研讨行业前沿论题及第三代半导体技术的应用与可持续发展,加速驱动中国化合物半导体产业链的完善和升级。


先进磨抛工艺 助力大尺寸碳化硅制造

北京特思迪半导体作为超精密平面加工设备领域的代表性企业,受邀参展,向行业专家、企业客户分享了最新发布的抛光机、减薄机等设备,解决行业磨抛工艺卡脖子技术瓶颈,为行业客户提供减薄、抛光、CMP的系统解决方案和工艺设备,加速扩大公司半导体生态圈。

北京特思迪半导体CEO刘泳沣先生受邀在平行论坛分享主题报告《先进抛光技术助力8英寸碳化硅量产》。

刘总向大家介绍了在化合物半导体碳化硅衬底及器件的加工制造流程中,磨抛是至关重要的部分,通过对磨抛工艺的合理化选择,我们可以将碳化硅晶圆加工到理想的厚度、面型及表面质量。

针对8英寸SiC衬底,也给出了自己的推测和思考,双抛路线依旧是可行的,但可能需要关注Bow、Warp等参数变化;8英寸SiC-激光切割减薄+双面抛光工艺流程是针对更大尺寸提出的新工艺,但最终工艺选择还需要根据整体成本来考虑。目前,特思迪积极探索8英寸SiC衬底的磨抛加工工艺,力求通过先进抛光技术,助力量产型大尺寸碳化硅制造。


科技创新 赋能新质生产力

展望未来,特思迪将依托多年的技术积累,继续以“以客户为中心 以奋斗者为本”的实干精神致力于半导体高端装备国产化,为半导体行业提供更多高品质、高性能产品和服务,以科技创新赋能新质生产力。

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