CMP（Chemical Mechanical Planarization）抛光机器设备在化合物半导体的制造过程中起到了关键的作用，特别是在粗磨和精磨这两个重要环节。

粗磨的主要目的是去除化合物半导体表面的大部分余量，使表面达到大致的几何形状与粗糙度。在此过程中，CMP工作台设备利用化学和机械的方法，结合磨料和化学液体，有效地磨平表面的粗糙区域。粗磨不仅能提高磨削效率，减少磨具的磨损，还能对工件起到保护及润滑作用，去除毛刺、飞边、倒圆角等，并为后续的精磨提供均衡的余量。

精磨则是在粗磨的基础上进行的更精细的磨削过程，其目标是达到更精确的几何形状以及更精细的表面裂纹深度。在CMP工作台设备上，精磨通过精确控制磨削参数和化学液体的使用，使化合物半导体的表面更加平滑，为后续的抛光工序提供良好的基础。

总的来说，CMP工作台设备在化合物半导体的粗磨和精磨过程中起到了精确控制和优化表面形貌的作用，为制造出高质量、高性能的化合物半导体产品提供了重要的技术支持。