我们知道制造芯片有个很重要的工作就是对硅片的背面减薄。以前我们开始采用旋转工作台磨削法进行这项工作。对随着对硅片背面减薄的要求越来越高，旋转工作台的磨削技术明显不能胜任这项工作。晶圆减薄机‍应运而生，下边我们一块看下有关于它的介绍。

1.作用

在加工脆性材料时当磨削深度小于某一临界值时可以实现延性域磨削。如果工作台的转速足够高，就可以实现极小磨削深度。可实现高效磨削。通过同时提高硅片转速和砂轮轴向进给速度，可以在保持与普通磨削同样的磨削深度情况下，达到较高的材料去除率,适用于大余量磨削。砂轮与硅片的接触长度﹑接触面积、切入角不变磨削力恒定，加工状态稳定,可以避免硅片出现中凸和塌边现象。

2、工艺过程

硅片背面磨削般分为两步粗磨和精磨。在粗磨阶段采用粒度46# ~500#的金刚石砂轮轴向进给速度为100~500 mm/min磨削深度较大，目的是迅速去除硅片背面绝大部分的多余材料。精磨时加工余量儿微米直至十几微米采用粒度2000# ~4000#的金刚石砂轮轴向进给速度为0.5~ 10 mm/min。主要是消除粗磨时形成的损伤层达到所要求的厚度，在精磨阶段材料以延性域模式去除,硅片表面损伤明显减小。

3、原理

当前主流晶圆减薄机的整体技术采用了In-feed 磨削原理设计。为了实现晶圆的延性域磨削,提高减薄质量通过减小砂轮轴向进给速度实现微小磨削深度,因此要求设备的进给运动分辨率小于0.1 um,进给速度l um/min。另外为了提高减薄工艺的效率，进给系统在满足低速进给的前提下,要尽可能实现高速返回。

从集成电路的发展趋势看出于终端应用特别是移动设备对更高性能、更低成本、更小形状因子的器件需求,晶圆片直径在逐步增大同时封装用的晶圆厚度逐步减小。由于市场需求的不断更新,芯片厚度减薄的趋势越来越快,导致薄晶圆的加工风险越来越高，对晶圆减薄机‍的技术要求也越来越高。